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參數資料
型號: APTGT150DA120
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-5
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 267K
代理商: APTGT150DA120
APTGT150DA120
A
P
T
G
T
150
D
A
120
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
VF (V)
I C
(A
)
Hard
switching
ZCS
ZVS
0
10
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
240
IC (A)
Fm
a
x
,O
p
er
at
in
g
F
re
q
ue
n
c
y(
kH
z)
VCE=600V
D=50%
RG=2.2
TJ=125°C
Tc=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
an
ce
(
°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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