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參數(shù)資料
型號(hào): APTGT150DA120T
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-12
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 278K
代理商: APTGT150DA120T
APTGT150DA120T
A
P
T
G
T
150
D
A
120
T
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Temperature sensor NTC (see application note APT0406 on www.advancedpower.com for more information).
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
50
k
B 25/85
T25 = 298.15 K
3952
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.18
RthJC
Junction to Case
Diode
0.32
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
125
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
1.5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Package outline (dimensions in mm)
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150DA120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150DA120 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK120D3 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA170 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150DA120TG 功能描述:IGBT 1200V 200A 690W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA12DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150DA170 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DA170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT150DA170D1G 功能描述:IGBT 1700V 280A 780W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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