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參數(shù)資料
型號: APTGT150DA170D3
廠商: Advanced Power Technology Ltd.
英文描述: Boost chopper Trench IGBT Power Module
中文描述: 升壓斬波溝道IGBT功率模塊
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 170K
代理商: APTGT150DA170D3
APTGT150DA170D3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1700
240
150
300
±20
1040
300A@1700V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
1
2
3
Q2
6
7
2
3
5
4
6
7
1
V
CES
= 1700V
I
C
= 150A @ Tc = 80°C
Application
Features
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Boost chopper
Trench IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT150DA170 Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DH120 Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150DU60T Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150H120 Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150H60TG Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT150DA170DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150DA170DY 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGT150DA170G 功能描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA60T1G 功能描述:IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT150DA60T3AG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
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