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參數(shù)資料
型號(hào): APTGT200SK170D3
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-7
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 192K
代理商: APTGT200SK170D3
APTGT200SK170D3
A
PT
G
T
20
0S
K
17
0D
3
R
ev
0
Ja
nu
ar
y,
20
04
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC = 25°C
400
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
200
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
600
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
1250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
Tj = 125°C
400A@1650V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
2
1
5
Q1
3
4
2
3
5
4
6
7
1
VCES = 1700V
IC = 200A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M6 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Buck chopper
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT200SK60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200SK60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200U120D4G 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200U120D4 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200U120D4 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT200SK170D3G 功能描述:IGBT 1700V 400A 1250W D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200SK60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK60T3AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT 600V 290A SP3
APTGT200SK60TG 功能描述:IGBT 600V 290A 625W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT200TL60G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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