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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APTGT30SK170D1 |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| 中文描述： | 降壓斬波溝道IGBT功率模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | APTGT30SK170D1 |
APTGT30SK170D1
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1700
45
30
70
±20
210
70A@1700V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
2
1
5
Q1
3
4
6
7
5
4
3
2
1
V
CES
= 1700V
I
C
= 30A @ Tc = 80°C
Application
Features
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
High level of integration
Kelvin emitter for easy drive
Low stray inductance
-
M5 power connectors
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Buck chopper
Trench IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT35A120D1 | Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT35SK120D1 | Buck chopper Trench IGBT Power Module |
| APTGT35X120BTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT35X120RTP3 | Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT400U120D4 | Single switch Trench IGBT Power Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT30SK170D1G | 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT30SK170T1G | 功能描述:IGBT 1700V 45A 210W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGT30TL601G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk |
| APTGT30TL60T3G | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT30X60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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