欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: APTGT50DH170T
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-14
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 280K
代理商: APTGT50DH170T
APTGT50DH170T
A
P
T
G
T
50
D
H
170
T
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1700
V
TC= 25°C
75
IC
Continuous Collector Current
TC= 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
TC= 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC= 25°C
312
W
RBSOA
Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
100A @ 1600V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
Q4
OUT2
OUT1
VBUS SENSE
CR3
0/VBUS
G4
E4
NTC2
Q1
CR2
0/VBUS SENSE
NTC1
G1
E1
NTC2
OUT1
OUT2
VBUS
SENSE
E1
NTC1
E4
G4
0/VBUS
SENSE
G1
VCES = 1700V
IC = 50A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Asymmetrical - Bridge
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關PDF資料
PDF描述
APTGT50DH170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH60T 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50DH60T 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50H170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT50H170T 75 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DH60T1G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT50DH60TG 功能描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APTGT50DSK120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT50DSK120T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
主站蜘蛛池模板: 中方县| 本溪市| 策勒县| 崇文区| 双桥区| 攀枝花市| 徐闻县| 余庆县| 无棣县| 平潭县| 和政县| 中超| 临夏县| 自贡市| 乌兰察布市| 淮阳县| 安吉县| 沙雅县| 克东县| 夹江县| 喀什市| 牙克石市| 湖北省| 光山县| 永昌县| 福州市| 平和县| 濮阳县| 攀枝花市| 灵川县| 沈丘县| 赤壁市| 铁力市| 都昌县| 明光市| 拜城县| 木里| 丁青县| 菏泽市| 沙湾县| 庆元县|