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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT600A60 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | APTGT600A60 |
APTGT600A60
A
P
T
G
T
600
A
60
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
3 - 5
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.065
RthJC
Junction to Case
Diode
0.11
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min, I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
175
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
To heatsink
M6
3
5
Torque Mounting torque
For terminals
M5
2
3.5
N.m
Wt
Package Weight
280
g
Package outline (dimensions in mm)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT600A60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT600DA60 | 500 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75H60T3G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75H60T3G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT600A60G | 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT600A60G_07 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT600DA60G | 功能描述:IGBT 600V 700A 2300W SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT600DU60 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT600DU60G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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