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參數資料
| 型號： | APTGT75A120T |
| 廠商： | Advanced Power Technology Ltd. |
| 英文描述： | Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| 中文描述： | 相腳快速戴場站IGBT功率模塊 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | APTGT75A120T |
APTGT75A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 5
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
110
75
175
±20
357
150A @ 1150V
Unit
V
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operating Area
A
V
W
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
VBUS
Q1
G1
E1
OUT
NTC2
0/VBUS
G2
E2
NTC1
Q2
OUT
OUT
NTC2
NTC1
VBUS
E1
G1
G2
E2
0/VBUS
G2
E2
V
CES
= 1200V
I
C
= 75A @ Tc = 80°C
Application
Features
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Fast Trench + Field Stop IGBT
Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Phase leg
Fast Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75DDA60T3 | Dual Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DH120T | Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| APTGT75DSK60T3 | Dual Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
| ARF1500 | ER 3C 3#16 PIN RECP WALL |
| ARF1501 | ER 3C 3#16S SKT RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGT75A120T1G | 功能描述:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75A120TG | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75A170D1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module |
| APTGT75A170D1G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGT75A60T1G | 功能描述:IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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