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參數(shù)資料
| 型號： | APTGT75X120RTP3 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | APTGT75X120RTP3 |
APTGT75X120RTP3
APTGT75X120BTP3
A
PT
G
T
75
X
12
0B
T
P3
–
R
ev
0,
Se
pt
em
be
r2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 4
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
1. Absolute maximum ratings
Diode rectifier Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
1600
V
ID
DC Forward Current
TC = 80°C
80
Tj = 25°C
500
IFSM
Surge Forward Current
tp = 10ms
Tj = 150°C
400
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
APTGT75X120RTP3: Without Brake (Pin 7 & 14 not connected)
9
8
7
4
5
6
22
23
24
1
2
3
17
18
19
20
10
11
12
14 13
16 15
21
VCES = 1200V
IC = 75A @ Tc = 80°C
Application
AC Motor control
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Low conduction losses
Stable temperature behavior
Very rugged
Solderable terminals for easy PCB mounting
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Input rectifier bridge + Brake
+ 3 Phase Bridge
Trench IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGT75X120E3G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75X120E3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75X120E3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75X120TE3 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT75X120TE3G | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGT75X120RTPG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75X120TE3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:3 Phase bridge Trench IGBT Power Module |
| APTGT75X120TE3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APTGT75X60T3G | 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGTQ100A65T1G | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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