- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄36738 > APTGU60DH120T 900 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | APTGU60DH120T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 900 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-14 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | APTGU60DH120T |
APTGU60DH120T
A
PT
G
U
60
D
H
12
0T
–
R
ev
1
Ju
ne
,2
00
3
APT website – http://www.advancedpower.com
1 - 3
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
Tc = 25°C
90
IC
Continuous Collector Current
Tc = 80°C
60
ICM
Pulsed Collector Current
Tc = 25°C
210
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
390
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 150°C
210A @ 960V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
NTC2
OUT1
OUT2
VBUS
SENSE
E1
NTC1
E4
G4
0/VBUS
SENSE
G1
VCES = 1200V
IC = 60A @ Tc = 80°C
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Switched Reluctance Motor Drives
Features
Power MOS 7 Punch Through (PT) IGBT
-
Low conduction loss
-
Ultra fast tail current shutoff
-
Low gate charge
-
Switching frequency capability in the 50kHz
range
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
Lead frames for power connections
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
Asymmetrical - Bridge
PT IGBT Power Module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGU70SK60T | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H120T3G | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV75H60T3G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM08TAM04P | 120 A, 75 V, 0.004 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM08TAM04P | 120 A, 75 V, 0.004 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGV100H60BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV100H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV15H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV25H120BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV25H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。