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參數資料
| 型號： | APTGV25H120T3G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | APTGV25H120T3G |
APTGV25H120T3G
A
P
TG
V25H
120
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
1-9
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Q3
11
10
Q1
CR1
7
22
13 14
CR3
3
30
29
32
18
19
23
8
15
31
R1
16
4
CR4
CR2
Q2
Q4
26
27
Top switches : Trench + Field Stop IGBT
Bottom switches : FAST NPT IGBT
16
15
18
20
23 22
13
11 12
14
8
7
29
30
28 27 26
3
32
31
10
19
2
25
4
All multiple inputs and outputs must be shorted together
13/14 ; 15/16 ; 26/27 ; 31/32
Trench & Field Stop IGBT Q1, Q3:
VCES = 1200V ; IC = 25A @ Tc = 80°C
Fast NPT IGBT Q2, Q4:
VCES = 1200V ; IC = 25A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Features
Q2, Q4 (FAST Non Punch Through (NPT) IGBT)
- Switching frequency up to 50 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Q1, Q3 (Trench & Field Stop IGBT)
- Low voltage drop
- Switching frequency up to 20 kHz
- RBSOA & SCSOA rated
- Low tail current
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
High level of integration
Internal thermistor for temperature monitoring
Benefits
Optimized conduction & switching losses
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal
for easy PCB mounting
Low profile
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Full - Bridge
NPT & Trench + Field Stop IGBT
Power module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A18FTG | 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGV30H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV50H120BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV50H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV50H60BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGV50H60BT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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