欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: ARF465B
元件分類: 功率晶體管
英文描述: VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 64K
代理商: ARF465B
050-4921
Rev
A
7-2003
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 5, Typical Threshold Voltage vs Temperature
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6, Typical Output Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
V
GS(th)
,THRESHOLD
VOLTAGE
(NORMALIZED)
ARF465A/B
5.5V
4.5V
5V
6V
VGS=15V, 10V, 7V
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 9, Typical Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
6.5V
10
8
6
4
2
0
Table 1 - Typical Class AB Large Signal Input - Output Impedance
Freq. (MHz)
Zin ()
Z
OL ()
2.0
13.5
27
40
65
21.4 -j 8.7
2.6 -j 7.3
.54 -j 2.9
.22 -j .69
.31 +j 1.65
206 -j 45
68 -j 99
22 -j 64
10.5 -j 44
4.4 -j 27
Zin - Gate shunted with 25
IDQ = 100mA
Z
OL -
Conjugate of optimum load for 150 Watts output at Vdd = 300V
SINGLE PULSE
0.5
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Figure 9a, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.0284
0.165
0.307
0.00155F
0.00934F
0.128F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
相關PDF資料
PDF描述
ARF465B VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-247AD
ASI10498 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
ASI10579 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
AT-00511-TR1 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
AT-00511-TR2 L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
ARF465BG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 1200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF MOSFET (VDMOS) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Microsemi ARF465BG Discrete Misc 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
ARF466A 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs
ARF466AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF MOSFET (VDMOS) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF FET N CH 1000V 13A TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N-channel 357 W 1000 V RF MOSFET (VDMOS) 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
ARF466B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETs
ARF466BG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF MOSFET (VDMOS) - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF FET N CH 1000V 13A TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
主站蜘蛛池模板: 恩施市| 合山市| 白朗县| 商城县| 改则县| 申扎县| 五指山市| 贡山| 峨眉山市| 永平县| 谷城县| 沁源县| 南澳县| 滁州市| 石屏县| 方正县| 昂仁县| 左云县| 清远市| 康保县| 滕州市| 宜川县| 高邑县| 吉安市| 溆浦县| 噶尔县| 刚察县| 玛沁县| 托里县| 嘉义县| 柳林县| 渭源县| 房山区| 综艺| 宕昌县| 巴南区| 诸城市| 乳源| 临桂县| 石景山区| 皋兰县|