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參數資料
| 型號： | AS4C1M16F5-50TI |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| 中文描述： | 5V的100萬× 16的CMOS內存 |
| 文件頁數： | 1/21頁 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | AS4C1M16F5-50TI |
Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
Alliance Semiconductor
P. 1 of 21
5V 1M×16 CMOS DRAM (fast-page mode)
Features
Organization: 1,048,576 words × 16 bits
High speed
- 50/60 ns
RAS
access time
- 20/25 ns fast page cycle time
- 13/17 ns
CAS
access time
Low power consumption
- Active:
880 mW max (AS4C1M16E0-60)
- Standby: 11 mW max, CMOS DQ
Fast page mode
1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval
-
RAS
-only or
CAS
-before-
RAS
refresh
Read-modify-write
TTL-compatible, three-state DQ
JEDEC standard package and pinout
- 400 mil, 42-pin SOJ
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II
5V power supply
Industrial and commercial temperature available
Pin arrangement
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
SOJ
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
Vcc
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
Vcc
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
Vcc
V
CC
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
V
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
TSOP II
Pin designation
Pin(s)
Description
A0 to A9
Address inputs
RAS
Row address strobe
DQ1 to DQ16
Input/output
OE
Output enable
WE
Write enable
UCAS
Column address strobe, upper byte
LCAS
Column address strobe, lower byte
V
CC
V
SS
Power
Ground
Selection guide
Symbol
AS4C1M16F5-50
AS4C1M16F5-60
Unit
Maximum
RAS
access time
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC5
50
60
ns
Maximum column address access time
25
30
ns
Maximum
CAS
access time
13
17
ns
Maximum output enable (
OE
) access time
13
15
ns
Minimum read or write cycle time
84
104
ns
Minimum fast page mode cycle time
20
25
ns
Maximum operating current
170
160
mA
Maximum CMOS standby current
2.0
2.0
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS4C1M16F5-60JC | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60JI | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60TC | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60TI | 5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| ASG402 | DC-3000 MHz SiGe HBT Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AS4C1M16F5-60JC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60JI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16F5-60TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:5V 1M X 16 CMOS DRAM |
| AS4C1M16S-6TCN | 功能描述:IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:DRAM 技術:SDRAM 存儲容量:16Mb （1M x 16） 時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:2ns 訪問時間:5.4ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 供應商器件封裝:50-TSOP II 標準包裝:117 |
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