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參數(shù)資料
| 型號： | AS6C6264-55PCN |
| 廠商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V |
| 中文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 851K |
| 代理商： | AS6C6264-55PCN |
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
FEATURES
Access time :55ns
Low power consumption:
Operation current :
15mA (TYP.), VCC = 3.0V
Standby current :
1 A (TYP.), VCC = 3.0V
Wide range power supply : 2.7 ~ 5.5V
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage :
1.5V (MIN.)
All products ROHS Compliant
Package : 28-pin 600 mil PDIP
28-pin 330 mil SOP
28-pin 8mm x 13.4mm sTSOP
GENERAL DESCRIPTION
The AS6C6264 is a 65,536-bit low power CMOS
static random access memory organized as 8,192
words by 8 bits. It is fabricated using very high
performance, high reliability CMOS technology. Its
standby current is stable within the range of
operating temperature.
The AS6C6264 is well designed for low power
application, and particularly well suited for battery
back-up nonvolatile memory application.
The AS6C6264 operates with wide range power
supply.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DE C ODE R
I/O DATA
C IR C UIT
C ONTR OL
C IR C UIT
8K x8
ME MOR Y AR R AY
C OLUM N I/O
A0-A12
Vcc
Vss
DQ0-DQ7
C E #
WE #
OE #
C E 2
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
DESCRIPTION
A0 - A12
Address Inputs
DQ0 – DQ7
Data Inputs/Outputs
CE#, CE2
Chip Enable Inputs
WE#
Write Enable Input
OE#
Output Enable Input
VCC
Power Supply
VSS
Ground
NC
No Connection
Fully Compatible with all Competitors 5V product
Fully Compatible with all Competitors 3.3V product
All inputs and outputs TTL compatible
February 2007
AS6C6264
02/Feb/07, v1.0
Alliance Memory Inc
Page 1 of 12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS7C1024B-12JCN | IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V |
| AS7C1024B-12TCN | IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V |
| AS7C1024B-10JCN | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
| AS7C1024LL-70TC | 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| AS7C1025B-15JCN | IC,AS7C1025B-15JCN,SOJ-32, SRAM,15NS,128K X 8,5V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS6C6264-55PIN | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 28DIP 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:易失 存儲器格式:SRAM 技術(shù):SRAM - 異步 存儲容量:64Kb （8K x 8） 寫周期時間 - 字，頁:55ns 訪問時間:55ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15 |
| AS6C6264-55SCN | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS6C6264-55SCNTR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS6C6264-55SIN | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| AS6C6264-55SINTR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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