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參數資料
| 型號： | AT-41511-BLKG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 4 PIN |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | AT-41511-BLKG |
2
Characterization Information, TA = 25°C
AT-41511
AT-41533
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min
Typ
Min
Typ
NF
Noise Figure
f = 0.9 GHz
dB
1.0
VCE = 5 V, IC = 5 mA
f = 2.4 GHz
1.7
1.6
GA
Associated Gain
f = 0.9 GHz
dB
15.5
14.5
VCE = 5 V, IC = 5 mA
f = 2.4 GHz
11
9
P1dB
Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning)
f = 0.9 GHz
dBm
14.5
VCE = 5 V, IC = 25 mA
G1dB
Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning)
f = 0.9 GHz
dB
17.5
14.5
VCE = 5 V, IC = 25 mA
IP3
Output Third Order Intercept Point,
f = 0.9 GHz
dBm
25
VCE = 5 V, IC =25 mA (opt tuning)
|S21E|2
Gain in 50 Ω system; VCE = 5 V, IC = 5 mA
f = 0.9 GHz
dB
13.5
15.5
10.8
12.8
f = 2.4 GHz
7.9
5.2
AT-41511, AT-41533 Absolute Maximum Ratings
Absolute
Symbol
Parameter
Units
Maximum[1]
VEBO
Emitter-Base Voltage
V
1.5
VCBO
Collector-Base Voltage
V
20
VCEO
Collector-Emitter Voltage
V
12
IC
Collector Current
mA
50
PT
Power Dissipation[2,3]
mW
225
Tj
Junction Temperature
°C
150
TSTG
Storage Temperature
°C
-65 to 150
Electrical Specications, TA = 25°C
AT-41511
AT-41533
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
hFE
Forward Current Transfer Ratio
VCE = 5 V
-
30
150
270
30
150
270
IC = 5 mA
ICBO
Collector Cuto Current
VCB = 3 V
μA
0.2
IEBO
Emitter Cuto Current
VEB = 1 V
μA
1.0
Thermal Resistance:[2]
Tjc =550°C/W
Notes:
1. Operation of this device above any one of
these parameters may cause permanent
damage.
2. TMounting Surface = 25°C.
3. Derate at 1.82 mW/°C for TC > 26°C.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-41533-TR2G | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41533-BLKG | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41511-TR1G | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41511-TR2G | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41533-TR1G | C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AT-41511-BLKG | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| AT-41511-TR1 | 功能描述:IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| AT-41511-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-41511-TR2G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT4151A | 功能描述:開關配件 .450" WIDE BLK PADDL CAP FOR M & M2T RoHS:否 制造商:C&K Components 類型:Cap 用于:Pushbutton Switches 設計目的: |
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