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參數資料
| 型號： | AT-41533-TR1 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | AT-41533-TR1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT-41533-BLK | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-BLKG | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-BLK | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-TR1G | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| AT-41586-TR1 | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AT-41533-TR1G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-41533-TR2G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-41535 | 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor |
| AT-41535G | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| AT-415-6 | 制造商:NKK Switches 功能描述:Bulk |
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