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參數資料
| 型號： | ATF-35576-STR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | ATF-35576-STR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-36077-STR | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-TR | X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-STR | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-TRI | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-TRIG | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ATF36077 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT |
| ATF-36077 | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT |
| ATF-36077-G | 制造商:Avago Technologies 功能描述:ATF-36077-G |
| ATF-36077-STR | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-36077-STR | 制造商:Avago Technologies 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
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