- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄36759 > ATF-36077STR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | ATF-36077STR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | ATF-36077STR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-36077TR1 | KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077STR | KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-TR1G | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077TR1 | KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-36077-STR | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ATF-36077-STR | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-36077-STR | 制造商:Avago Technologies 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| ATF-36077-TR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Transistor GaAs High Frequency RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| ATF-36077-TRL | 制造商:AGILENT 制造商全稱:AGILENT 功能描述:2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT |
| ATF-36163 | 制造商:AVAGO 制造商全稱:AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 功能描述:1.5-18 GHz Surface Mount Pseudomorphic HEMT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。