欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: ATP216TL
元件分類: JFETs
英文描述: 35 A, 50 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: HALOGEN FREE, ATPAK-3
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 394K
代理商: ATP216TL
ATP216
No.8985-1/4
Features
ON-resistance RDS(on)1=17mΩ(typ.)
Slim package
1.8V drive
Halogen free compliance
Specications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Drain-to-Source Voltage
VDSS
50
V
Gate-to-Source Voltage
VGSS
±10
V
Drain Current (DC)
ID
35
A
Drain Current (PW≤10μs)
IDP
PW≤10μs, duty cycle≤1%
105
A
Allowable Power Dissipation
PD
Tc=25°C40
W
Channel Temperature
Tch
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
EAS
40
mJ
Avalanche Current *2
IAV
17.5
A
Note :
*1 VDD=10V, L=100μH, IAV=18A
*2 L≤100μH, Single pulse
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Ordering number : EN8985
51111PA TKIM TC-00002591
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
ATP216
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
http://semicon.sanyo.com/en/network
Product & Package Information
Package
: ATPAK
JEITA, JEDEC
: -
Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
Packing Type: TL
Marking
Electrical Connection
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
TL
ATP216
LOT No.
1
3
2,4
相關PDF資料
PDF描述
ATP216 35 A, 50 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP602 5 A, 600 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATP602 5 A, 600 V, 2.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ATS-2FREQ QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 3.579 MHz - 3.999 MHz
ATS-1-RFREQ5 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 36 MHz - 70 MHz
相關代理商/技術參數
參數描述
ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ATP218 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP218_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP218-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ATP22 制造商:AMERICAN DJ 功能描述:STACKABLE EQUIPMENT CASE 22 X 12 X 15 INCH
主站蜘蛛池模板: 仪征市| 兰西县| 宣汉县| 襄城县| 同仁县| 萨嘎县| 乌审旗| 清水县| 杂多县| 鱼台县| 历史| 山东| 潢川县| 红桥区| 泌阳县| 广河县| 永春县| 九寨沟县| 昌乐县| 喀什市| 万安县| 楚雄市| 丰宁| 南安市| 涟水县| 南召县| 贺州市| 周口市| 衡阳市| 云安县| 湖南省| 丰城市| 容城县| 镇坪县| 蓬溪县| 枝江市| 通化市| 罗甸县| 五河县| 隆德县| 宁阳县|