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參數(shù)資料
型號: ATP218-TL-H
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.8 毫歐 @ 50A,4.5V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 10V
功率 - 最大: 60W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: ATPAK(2 引線 + 接片)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: ATPAK
包裝: 帶卷 (TR)
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