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參數資料
| 型號： | AV1959 |
| 廠商： | Avic Technology |
| 英文描述： | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
| 中文描述： | 至92塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | AV1959 |
@vic
AV1959
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Copyright Avic Electronics Corp.
1
Website:
http://www.avictek.com
AV1959 TRANSISTOR
（
NPN
）
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.5 W
（
Tamb=25
℃）
Collector current
I
CM
: 0.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 35 V
Operating and storage junction temperature range
T
stg
: -55
℃
to +150
℃
T
j :
150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
（
Tamb=25
℃
unless otherwise specified
）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= 100
μ
A
，
I
E
=0
35
V
Collector-emitter breakdown
voltage
V(BR)
CEO
Ic= 0. 1 mA
，
I
B
=0
30
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= 100
μ
A
，
I
C
=0
5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=35 V , I
E
=0
0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 5 V
，
I
C
=0
0.1
μ
A
H
FE(1)
V
CE
=1V, I
C=0
70
400
DC current gain
H
FE(2)
V
CE
= 6V, I
C
= 400mA
25
Collector-emitter saturation
voltage
V
CE
(sat)
I
C
= 100mA, I
B
=10mA
0.25
V
Base-emitter voltage
V
BE
V
CE
=1V, I
C
=100mA
1.0
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= 6 V, I
C
= 20mA
200
MHz
CLASSIFICATION OF H
FE
Rank
O
Y
GR
H
FE(1)
70-140
120-240
200-400
Range
H
FE(2)
25(min)
40(min)
1
2
3
TO—92
1. EMITTER
2.
COLLECTOR
3.BSAE
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PDF描述 |
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