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參數資料
| 型號： | AV42 |
| 廠商： | Avic Technology |
| 英文描述： | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
| 中文描述： | 至92塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | AV42 |
@vic
AV42
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A42 TRANSISTOR
（
NPN
）
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.625 W
（
Tamb=25
℃）
Collector current
I
CM
: 0.3 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 300 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，
T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
（
Tamb=25
Copyright Avic Electronics Corp.
1
Website:
http://www.avictek.com
℃
unless otherwise specified
）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= 100
μ
A
，
I
E
=0
300
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
Ic= 1 mA
，
I
B
=0
300
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= 10
μ
A
，
I
C
=0
5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= 200 V I
E
=0
0.25
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= 3 V
，
I
C
=0
0.25
μ
A
H
FE
（
1
）
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
25
H
FE
（
2
）
V
CE
= 10V, I
C
= 10 mA
80
250
DC current gain
H
FE
（
3
）
V
CE
= 10 V, I
C
= 50 mA
25
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE
(sat)
I
C
= 20mA, I
B
= 2 mA
0.9
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 mA
f =
30MHz
50
MHz
CLASSIFICATION OF HFE
(2)
Rank
A
B
1
B
2
C
Range
80-100
100-150
150-200
200-250
1
2
3
TO—92
1. EMITTER
2. BASE
3.COLLECTOR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| AV4401 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
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參數描述 |
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