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B82114RA

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • B82114RA1
    B82114RA1

    B82114RA1

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPCOS (TDK)

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • B82114RA4
    B82114RA4

    B82114RA4

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • Epcos

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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B82114RA 技術(shù)參數(shù)
  • B82111EC29 功能描述:1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 34 Ohm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.2mH 容差:±20% 額定電流:100mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:34 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:16MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.236" 直徑 x 1.023" 長(zhǎng)（6.00mm x 26.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 B82111EC28 功能描述:680μH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 14 Ohm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680μH 容差:±20% 額定電流:200mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:14 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:19MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.236" 直徑 x 1.023" 長(zhǎng)（6.00mm x 26.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 B82111EC27 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 6.5 Ohm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:6.5 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:25MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.236" 直徑 x 1.023" 長(zhǎng)（6.00mm x 26.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC26 功能描述:220μH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 2.6 Ohm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:220μH 容差:±20% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.6 歐姆 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:32MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.256" 直徑 x 1.023" 長(zhǎng)（6.50mm x 26.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82111EC25 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 1A 650 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111E 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:650 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:55MHz 等級(jí):- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測(cè)試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 大小/尺寸:0.256" 直徑 x 1.023" 長(zhǎng)（6.50mm x 26.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 B82131A5302M B82131A5401M B82131A5401M000 B82131A5402M B82131A5701M B82132A5151M B82132A5151M000 B82132A5152M B82132A5202M B82132A5301M B82132A5301M000 B82132A5302M B82132A5302M000 B82132A5401M B82132A5402M B82132A5701M B82133A5151M B82133A5151M000
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