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B82462G4474M

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  • 封裝
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  • 操作
  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • EPCOS/愛普科斯

  • NA

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • EPCOS

  • con

  • 24+

  • -
  • 電感器

  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

  • 100

  • EPCOS

  • NA

  • 25+

  • -
  • 現貨!就到京北通宇商城

  • B82462G4474M000
    B82462G4474M000

    B82462G4474M000

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 61531

  • EPCOS / TDK

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • B82462G4474M
    B82462G4474M

    B82462G4474M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
B82462G4474M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 6X 6 470UH 0.24A
  • 制造商
  • TDK EPCOS
  • 功能描述
  • POWER SMT-INDUCTOR 6X6 470uH 0.24A
  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • Power inductor SMD shielded 470uH
B82462G4474M 技術參數
  • B82462G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):310 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 B82462G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 B82462G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 270mA 2.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:270mA 電流 - 飽和值:220mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):2.3 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 B82462G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):230 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 B82462G4332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):31 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.118"(3.00mm) 標準包裝:1 B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K B82464A4102M B82464A4103M
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