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B82464G4222M000

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/高先生/周小姐

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    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 62662

  • EPCOS - TDK Electronics

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:周小姐/高先生/曹先生

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    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 3961

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 750

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  • 制造商
  • TDK Epcos
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Ferrite 6.5A Blister T/R
B82464G4222M000 技術(shù)參數(shù)
  • B82464G4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:6.5A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:72MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 320 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:850mA 電流 - 飽和值:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):320 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:4.5MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 2.75A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:2.75A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4152M 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 7A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:7A 電流 - 飽和值:8.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:110MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4105M 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 340mA 2.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:340mA 電流 - 飽和值:350mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):2.2 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:1.8MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000 B82464P4102M B82464P4102M000 B82464P4103M B82464P4104M B82464P4105M B82464P4105M000 B82464P4153M B82464P4154M B82464P4154M000 B82464P4223M B82464P4224M B82464P4224M000
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