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B82464G4474M000

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 26058

  • EPCOS - TDK Electronics

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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  • 7316

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
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    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 1000

  • EPCOS

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • INDUCTOR 470UH 500MA 20% F
  • 制造商
  • EPCOS
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Wirewound 470uH 20% 100KHz Ferrite 500mA Blister T/R
B82464G4474M000 技術參數
  • B82464G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 500mA 930 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:500mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):930 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:2.6MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 95 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.55A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):95 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:9MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 15 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:4.9A 電流 - 飽和值:5.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):15 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:37MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 650 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:590mA 電流 - 飽和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:3.2MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 1.85A 75 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:1.85A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):75 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.409" 長 x 0.409" 寬(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安裝(最大值):0.189"(4.80mm) 標準包裝:1 B82464P4105M B82464P4105M000 B82464P4153M B82464P4154M B82464P4154M000 B82464P4223M B82464P4224M B82464P4224M000 B82464P4332M B82464P4332M000 B82464P4333M B82464P4334M B82464P4334M000 B82464P4472M B82464P4472M000 B82464P4473M B82464P4474M B82464P4682M
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