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B82467G152M

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • B82467G152M
    B82467G152M

    B82467G152M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
B82467G152M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 1.5UH 1.25A SMD
  • RoHS
  • 類別
  • 電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式
  • 系列
  • B82467G0
  • 標準包裝
  • 500
  • 系列
  • 1331
  • 電感
  • 1.2µH
  • 電流
  • 247mA
  • 電流 - 飽和
  • 247mA
  • 電流 - 溫升
  • -
  • 類型
  • 鐵芯體
  • 容差
  • ±10%
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 最大 730 毫歐
  • Q因子@頻率
  • 40 @ 7.9MHz
  • 頻率 - 自諧振
  • 130MHz
  • 材料 - 芯體
  • 封裝/外殼
  • 0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測試
  • 7.9MHz
B82467G152M 技術參數
  • B82467G103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 550mA 485 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:480mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):485 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.110" 長 x 0.102" 寬(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82467G102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 50 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.475A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):50 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.110" 長 x 0.102" 寬(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82466G682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 490mA 515 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82466G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:490mA 電流 - 飽和值:510mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):515 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82466G561M 功能描述:560nH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 70 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82466G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:560nH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):70 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82466G472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 600mA 350 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82466G0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:600mA 電流 - 飽和值:630mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):350 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.079" 寬(2.00mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 B82468A4152M B82468A4153M B82468A4222M B82468A4223M B82468A4332M B82468A4472M B82468A4682M B82469G1102M B82469G1103M B82469G1152M B82469G1153M B82469G1222M B82469G1223M B82469G1332M B82469G1391M B82469G1472M B82469G1682M B82469G1911M
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