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B82479G1684M000 功能描述:FIXED IND 680UH 640MA 1.4 OHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82479G1 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680μH 容差:±20% 額定電流:640mA 電流 - 飽和值:960mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安裝（最大值）:0.280"（7.11mm）標準包裝:250 B82479G1684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 640mA 1.4 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82479G1 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680μH 容差:±20% 額定電流:640mA 電流 - 飽和值:960mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.4 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安裝（最大值）:0.280"（7.11mm）標準包裝:500 B82479G1683M000 功能描述:FIXED IND 68UH 2A 138 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82479G1 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:138 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安裝（最大值）:0.280"（7.11mm）標準包裝:250 B82479G1683M 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2A 138 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82479G1 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:68μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:138 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安裝（最大值）:0.280"（7.11mm）標準包裝:500 B82479G1474M000 功能描述:FIXED IND 470UH 730MA 1.08 OHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82479G1 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準供應商器件封裝:- 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm）高度 - 安裝（最大值）:0.280"（7.11mm）標準包裝:250 B82496C3120J B82496C3121G B82496C3121G000 B82496C3121J B82496C3129A B82496C3129Z B82496C3150G B82496C3150G000 B82496C3150J B82496C3151G B82496C3151G000 B82496C3151J B82496C3159A B82496C3159Z B82496C3159Z000 B82496C3180G B82496C3180J B82496C3180J008