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BAQ133-GS08VISHAY

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BAQ133-GS08VISHAY 技術參數

BAQ133-GS08 功能描述:Diode Standard 30V 200mA Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 15V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BAP70Q,125 功能描述:DIODE PIN ATTENUATOR QUAD 5TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:PIN - 2 對 CA + CC 電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.9 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:125mW 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:5-TSOP 標準包裝:1 BAP70AM,135 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:PIN - 2 對串行電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.9 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:10,000 BAP70AM,115 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:PIN - 2 對串行電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.9 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:3,000 BAP70-05,215 功能描述:DIODE PIN 50V 100MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:PIN - 1 對共陰極電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:1.9 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327 BAR 50-02L E6327 BAR 50-02V E6327 BAR 50-02V E6768 BAR 50-02V H6327 BAR 61 E6327 BAR 63-02V E6327 BAR 63-02V H6327 BAR 63-02W E6127