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BAS316/T1

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BAS316/T1 技術參數
  • BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:0.35pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:3,000 BAS316,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C(最大) 基本零件編號:BAS316 標準包裝:1 BAS316,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:1.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C(最大) 基本零件編號:BAS316 標準包裝:1 BAS321/8X BAS321/ZLF BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR
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