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BAS316115

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操作

BAS316115
優勢
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
6000
NXP
SOD323
22+
-
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

BAS316115
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
原封裝
最新批號
-
一級代理,原裝正品現貨！

BAS316115
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
PHL
NULL
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BAS316115
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
3000
PHI
2012+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共13條
1

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
SWITCHING DIODE 100V SOD-323

BAS316115 技術參數

BAS316/ZLX 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 BAS316/ZLF 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR BAS385-TR3 BAS386-TR