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BB74419 BS18-FD100-CP6X

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BB74419 BS18-FD100-CP6X 技術(shù)參數(shù)

BB6X26-SB/2DC-LHS 功能描述:BETTER BURIED CLOSURE KIT 6X26 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 BB6X26CC-SB/2DC-LHS 功能描述:BETTER BURIED CLOSURE KIT 6X26 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 BB689H7912XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:23.2 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:SCD-80 標準包裝:8,000 BB689H7908XTSA1 功能描述:DIODE TUNING 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:23.2 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:3,000 BB689H7903XTMA1 功能描述:DIODE TUNING 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:23.2 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:10,000 BB7X26-SB/DC,TC-LHS BB-80.000MBE-T BB-80.000MCE-T BB804,215 BB804SF1E6327HTSA1 BB804SF2E6327HTSA1 BB8062N BB8063 BB8063S BB8065C BB8065CN BB8065CNS BB8065CR BB8065CS BB814E6327GR1HTSA1 BB814E6327GR2HTSA1 BB831E7904HTSA1 BB833E6327HTSA1