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BC51E129A02-ES-ENG

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BC51E129A02-ES-ENG 技術參數

BC517ZL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 20mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC517ZL1 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 20mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC517RL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 20mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BC517RL1 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 20mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC517G 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30000 @ 20mA，2V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BC-527335-17R BC52PA,115 BC52PASX BC53-10PA,115 BC53-10PASX BC53-16PA,115 BC53-16PA-7 BC53-16PASX BC-538756-013 BC-538756-015 BC-538756-017 BC-538756-019 BC-538756-021 BC-538756-025 BC-538757-011 BC-538757-013 BC-538757-015 BC-538758-013