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BC848CDXV6T5

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  • 封裝
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  • 操作
  • BC848CDXV6T5
    BC848CDXV6T5

    BC848CDXV6T5

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 64080

  • onsemi

  • SOT-563, SOT-666

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BC848CDXV6T5
    BC848CDXV6T5

    BC848CDXV6T5

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • ON

  • SOT-563

  • 新年份

  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BC848CDXV6T5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
BC848CDXV6T5 技術參數
  • BC848CDXV6T1G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:4,000 BC848CDW1T1G 功能描述:TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363 標準包裝:1 BC848C-7-F 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BC848C RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BC848BWT1G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3(SOT323) 標準包裝:1 BC848C-TP BC848CW RFG BC848CW-7-F BC848CWE6327BTSA1 BC848CWH6327XTSA1 BC848CWT1G BC848W,115 BC848W,135 BC849AMTF BC849AW RFG BC849B,215 BC849B,235 BC849BE6327HTSA1 BC849BLT1 BC849BLT1G BC849BLT3 BC849BLT3G BC849BMTF
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