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BCR112WH6327

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  • BCR112WH6327XTSA1
    BCR112WH6327XTSA1

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  • 集好芯城
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    聯系人:陳先生13360533550

    電話:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田區華富路航都大廈11F

    資質:營業執照

  • 15000

  • INFINEON/英飛凌

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  • BCR112WH6327XTSA1
    BCR112WH6327XTSA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • BCR112WH6327
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • 原廠封裝

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  • BCR112WH6327XTSA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

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    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • BCR112WH6327XTSA1
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  • 深圳市百潤電子有限公司
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    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 6000

  • TI

  • new and original

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BCR112WH6327 技術參數
  • BCR112WE6327BTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:140MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR112E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:140MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BCR10PNH6730XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:10,000 BCR10PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR10PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BCR119SE6327BTSA1 BCR119SE6433HTMA1 BCR119SH6327XTSA1 BCR119SH6433XTMA1 BCR119WE6327HTSA1 BCR119WH6327XTSA1 BCR129E6327HTSA1 BCR129SE6327HTSA1 BCR129SH6327XTSA1 BCR129WE6327HTSA1 BCR129WH6327XTSA1 BCR12CM-12LB#BB0 BCR12CM-16LB#BB0 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0 BCR12FM-14LB#FA0
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