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BCR196WE6327

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BCR196WE6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述

BCR196WE6327 技術參數

BCR196E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:22k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR192WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:22k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR192WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:22k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR192E6785HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:最後搶購晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:22 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR192E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:22k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR198WE6327BTSA1 BCR198WH6327XTSA1 BCR1AM-12A#C01 BCR1AM-12A#FD0 BCR1AM-8P#B00 BCR1AM-8P#B10 BCR1BM-16A#B00 BCR205WH6327XTSA1 BCR20CM-12LB#BB0 BCR20CM-16LB#BB0 BCR20FM-12LB#BB0 BCR20FM-14LJ#BB0 BCR20RM-30LA#B00 BCR22PNE6327BTSA1 BCR22PNE6433HTMA1 BCR22PNH6327XTSA1 BCR22PNH6433XTMA1 BCR25CM-12LB#BB0