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BF240-GEG/CDIL

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BF240-GEG/CDIL 技術參數
  • BF240_ND74Z 功能描述:RF Transistor NPN 40V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 頻率 - 躍遷:1.1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF240_J35Z 功能描述:RF Transistor NPN 40V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 頻率 - 躍遷:1.1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF240_D74Z 功能描述:RF Transistor NPN 40V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 頻率 - 躍遷:1.1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF240,112 功能描述:RF Transistor NPN 40V 25mA 150MHz 300mW Through Hole TO-92-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 頻率 - 躍遷:150MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:67 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BF240 功能描述:RF Transistor NPN 40V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 頻率 - 躍遷:1.1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:65 @ 1mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF245A,112 BF245A,126 BF245A_D27Z BF245A_D75Z BF245A_J35Z BF245B BF245B,112 BF245B,126 BF245B_D27Z BF245B_D74Z BF245B_D75Z BF245B_J35Z BF245C BF245C,112 BF245C_D26Z BF245C_D27Z BF245C_D74Z BF245C_D75Z
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