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BF2520-L2R4CADT

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  • BF2520-L2R4CADT/LF
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

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  • BF2520-L2R4CADT/LF
    BF2520-L2R4CADT/LF

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

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    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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BF2520-L2R4CADT 技術(shù)參數(shù)
  • BF247A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):30mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF247A 功能描述:JFET N-Channel 25V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):30mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):60mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):60mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):30mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):600mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0 BF-3 BF3/RC
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