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BF4RP

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    BF4RP

    BF4RP

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

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    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

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BF4RP 技術參數
  • BF494_D74Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):67 @ 1mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF494_D27Z 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):67 @ 1mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF494 功能描述:RF Transistor NPN 20V 30mA 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):67 @ 1mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF493SG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF493S 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BF5030WH6327XTSA1 BF510,215 BF511,215 BF5118-20B BF512,215 BF512,235 BF513,215 BF5165-20B BF517E6327HTSA1 BF5200-20B BF-541A/B BF-541A/KOEM BF545A,215 BF545B,215 BF545C,215 BF550,215 BF550,235 BF556A,215
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