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BF722INFINEON

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BF722INFINEON 技術參數

BF722,115 功能描述:TRANS NPN 250V 0.1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，20V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BF722 標準包裝:1 BF721T1G 功能描述:TRANS PNP 300V 0.05A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，20V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BF721T1 功能描述:TRANS PNP 300V 0.05A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 5mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，20V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1,000 BF720T3G 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，20V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:4,000 BF720T1G 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，20V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BF799WE6327BTSA1 BF799WH6327XTSA1 BF8/RC BF8100-UVC BF820,215 BF820,235 BF820W,115 BF820W,135 BF821,215 BF821,235 BF822,215 BF823,215 BF824,215 BF824,235 BF824W,135 BF8300-20A BF840,215 BF840,235