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BFG505/WNXP

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BFG505/WNXP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFG505/WNXP 技術參數

BFG505,215 功能描述:RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:18mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:3,000 BFG480W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 250mA 21GHz 360mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:360mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 80mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:10,000 BFG480W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:21GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:360mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 80mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:250mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BFG425W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:10,000 BFG425W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BFG520W/X,115 BFG540,215 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215 BFG590/X,215 BFG591,115 BFG67,215 BFG67,235 BFG67/X,215 BFG92A/X,215 BFG93A,215 BFG93A/X,215 BFG94,115