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BFR30/DG/B2

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操作

BFR30/DG/B2
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
2990
原裝NXP
SOT23
2015+PB
-
原裝現貨/特價

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： BFR30LT1 BFR30LT1G BFR31,215 BFR31,235 BFR31LT1 BFR31LT1G BFR32A10P1 BFR32A10S1 BFR340FH6327XTSA1

BFR30/DG/B2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFR30/DG/B2 技術參數

BFR30,235 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:10,000 BFR30,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BFR2821S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:25 BFR2821P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:25 BFR281P1F80 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:25 BFR340L3E6327XTMA1 BFR35APE6327HTSA1 BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 BFR360L3E6765XTMA1 BFR380FH6327XTSA1 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1