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BFR92AW..

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN RF SOT-323
BFR92AW.. 技術參數
  • BFR92AW,135 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):65 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:10,000 BFR92AW,115 功能描述:TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):65 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BFR92ALT1 功能描述:RF POWER TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:273mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 14mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25mA 工作溫度:150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 BFR92A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 5GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):65 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:10,000 BFR92A,215 功能描述:TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):65 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 BFR94A,215 BFR94AW,115 BFS 17P E6433 BFS 360L6 E6327 BFS 380L6 E6327 BFS 386L6 E6327 BFS 460L6 E6327 BFS 466L6 E6327 BFS 469L6 E6327 BFS 481 E6327 BFS 483 E6327 BFS100-48 BFS100X2000 BFS17,215 BFS17,235 BFS17A,215 BFS17A,235 BFS17HTA
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