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BFS520(N2T).

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BFS520(N2T). PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFS520(N2T). 技術參數

BFS505,115 功能描述:TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:18mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 BFS483H6327XTSA1 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BFS481H6327XTSA1 功能描述:RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount P-SOT363-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:P-SOT363-6 標準包裝:1 BFS25A,115 功能描述:RF Transistor NPN 5V 6.5mA 5GHz 32mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:32mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500μA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 BFS20W,115 功能描述:TRANS NPN 20V 0.025A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，10V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:470MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:BFS20 標準包裝:1 BFT92W,115 BFT93,215 BFT93W,115 BFU520AR BFU520AVL BFU520R BFU520VL BFU520WF BFU520WX BFU520XAR BFU520XRR BFU520XRVL BFU520XVL BFU520YF BFU520YX BFU530AR BFU530AVL BFU530R