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BLF6G10-160RN112

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BLF6G10-160RN112 技術參數

BLF6G10-160RN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:39A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.2A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF6G10-135RN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz ~ 891.5MHz 增益:21dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:32A 噪聲系數:- 電流 - 測試:950mA 功率 - 輸出:26.5W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLF647PSJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:100 BLF647PS,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ ACC4L 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121B 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF647P,112 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.3GHZ CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS（雙），共源頻率:1.3GHz 增益:18dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:200W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-1121A 供應商器件封裝:CDFM4 標準包裝:20 BLF6G10LS-135R,112 BLF6G10LS-135R,118 BLF6G10LS-135RN,11 BLF6G10LS-135RN:11 BLF6G10LS-160,112 BLF6G10LS-160,118 BLF6G10LS-160RN,11 BLF6G10LS-160RN:11 BLF6G10LS-200,112 BLF6G10LS-200,118 BLF6G10LS-200R,112 BLF6G10LS-200R,118 BLF6G10LS-200RN,11 BLF6G10LS-200RN:11 BLF6G10LS-260PRN,1 BLF6G10LS-260PRN:1 BLF6G10S-45,112 BLF6G13L-250P,112