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BMS-D-48

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BMS-D-48
    BMS-D-48

    BMS-D-48

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • Essentra Components

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • BMS-D-48
    BMS-D-48

    BMS-D-48

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 100

  • RICHCO

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -
  • 代理渠道可追溯現貨庫存F

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
BMS-D-48 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • BOARD MNT STRIP DBL BLK 4'
  • 制造商
  • essentra components
  • 系列
  • BMS
  • 零件狀態
  • 有效
  • 配件類型
  • 塑料,48.000"(1219.20mm)
  • 配套使用產品/相關產品
  • -
  • 標準包裝
  • 100
BMS-D-48 技術參數
  • BMS4007-1E 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:50 BMS4007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS4003 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 BMS3004-1E 功能描述:MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):68A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13400pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMS3003-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 78A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):78A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):285nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-3SG 標準包裝:50 BMVK250ADA150MF60G BMVK250ADA3R3MD60G BMVK250ADA6R8ME60G BMVK350ADA100MF60G BMVK350ADA2R2MD60G BMVK350ADA4R7ME60G BMVK500ADA1R0MD60G BMVK500ADA1R5MD60G BMVK500ADA2R2ME60G BMVK500ADA3R3ME60G BMVK500ADA4R7MF60G BMVK500ADA6R8MF60G BMVK500ADAR10MD60G BMVK500ADAR15MD60G BMVK500ADAR22MD60G BMVK500ADAR33MD60G BMVK500ADAR47MD60G BMVK500ADAR68MD60G
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