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BPW8O

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BPW8O 技術參數

BPW85C 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:70V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長:850nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:5,000 BPW85B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:70V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長:850nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:5,000 BPW85A 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:70V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長:850nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:5,000 BPW85 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:70V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:200nA 波長:850nm 視角:50° 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:5,000 BPW83 功能描述:Photodiode 950nm 130° Radial, Side View 制造商:vishay semiconductor opto division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效波長:950nm 顏色 - 增強:- 頻譜范圍:790nm ~ 1050nm 二極管類型:引腳不同 nm 時的響應度:- 響應時間:- 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 暗（典型值）:2nA 有效面積:7.5mm2 視角:130° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向，側視圖標準包裝:4,000 BPX 43-4 BPX 43-5 BPX 48 BPX 61 BPX 65 BPX 80 BPX 81 BPX 81-2/3 BPX 81-3 BPX 81-3/4 BPX 81-4 BPX 82 BPX 83 BPX 84 BPX 85 BPX 86 BPX 87 BPX 88