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BS170-D27Z

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BS170-D27Z
    BS170-D27Z

    BS170-D27Z

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ONS

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BS170-D27Z
    BS170-D27Z

    BS170-D27Z

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 3144

  • ON Semiconductor / Fairch

  • TO-92-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BS170-D27Z
    BS170-D27Z

    BS170-D27Z

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人:許先生

    電話:18898761413

    地址:華強北都會軒4507

    資質:營業執照

  • 30000

  • ON/安森美

  • SMD

  • 24+

  • -
  • 原裝正品,可含稅供應。品質保障

  • BS170-D27Z
    BS170-D27Z

    BS170-D27Z

  • 深圳市高創鑫電子科技有限公司
    深圳市高創鑫電子科技有限公司

    聯系人:曾小姐

    電話:0755-2330298015814019597

    地址:深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

    資質:營業執照

  • 40000

  • Onsemi

  • TO-92-3 LF

  • 23+

  • -
  • 原裝正品現貨,假1罰100

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
BS170-D27Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  • 制造商
  • on semiconductor
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 500mA(Ta)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 1mA
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 40pF @ 10V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 830mW(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 5 歐姆 @ 200mA,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • TO-92-3
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線)
  • 基本零件編號
  • BS170
  • 標準包裝
  • 1
BS170-D27Z 技術參數
  • BS170-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:BS170 標準包裝:1 BS170_L34Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS170_J35Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BS170_D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170RLRA BS170RLRAG BS170RLRMG BS170RLRP BS170RLRPG BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC
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