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BS250TR1

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    BS250TR1

    BS250TR1

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SILICONIX

  • 標準封裝

  • 13+

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  • 全新原裝,現貨,價優!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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BS250TR1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BS250TR1 技術參數
  • BS250PSTZ 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line(TO-92 兼容) 標準包裝:2,000 BS250PSTOB 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line(TO-92 兼容) 標準包裝:2,000 BS250P 功能描述:MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:4,000 BS250KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-18RM 標準包裝:1 BS250FTC 功能描述:MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):25pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BS2EP BS2I BS2-IC BS2I-HD BS2I-IC BS2I-MC BS2LA BS2P24 BS2P40 BS2PE BS2P-SHF-1AA(LF)(SN) BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T
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