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BSC010N04LSIATMA1

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BSC010N04LSIATMA1
    BSC010N04LSIATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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    聯(lián)系人:

    電話:18724450645

    地址:中國(guó)上海

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  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品

  • BSC010N04LSIATMA1
    BSC010N04LSIATMA1

    BSC010N04LSIATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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    BSC010N04LSIATMA1

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

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BSC010N04LSIATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 40V 1.05 mOhm 100Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 30 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 180 mA
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 4.5 Ohms
  • 配置
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-416
  • 封裝
  • Reel
BSC010N04LSIATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC010N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 mOhm @ 50A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 FL(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC009NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):41A(Ta),100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5800pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),96W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.9 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC009NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.95 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC009NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):41A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC009NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):41A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5800pF @ 12V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 BSC016N04LS G
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